快速退火 | 連鎖超商/餐飲業者

快速熱退火是用各種熱輻照源，直接照射在樣品表面上，迅速將樣品加熱至700~1200℃左右在幾秒~幾十秒的時間內完成退火。它與常規熱退火相比，有下列優點：樣品在相同的 ...

快速熱退火是用各種熱輻照源，直接照射在樣品表面上，迅速將樣品加熱至700~1200℃左右在幾秒~幾十秒的時間內完成退火。

它與常規熱退火相比，有下列優點：樣品在相同的保護條件下，可以使用較高的退火温度，這有利於提高注入雜質的激活率與遷移率，尤其適合大劑量注入的樣品，因為大劑量注入造成的損傷嚴重，需要在較高温度下退火，瞬態退火可以減少注入雜質的再分佈，形成陡峭的雜質分佈或突變結，另外當退火温度要求不十分高時，樣品表面無須用介質膜保護，簡化了工藝。

隨着集成電路的發展，對損傷區、電學參數恢復程度，以及注入離子電激活率的要求也越來越高，常規的熱退火方法已經不能滿足要求。因為它不能完全消除缺陷，對高劑量注入晶片的電激活率也不夠高，而且又能產生二次缺陷。同時，在熱退火過程中，整個晶片（包括注入層和襯底）都要經受一次高温處理，增加了表面污染，特別是高温長時間的熱退火會導致明顯的雜質再分佈，破壞了離子注入技術固有的優點，限制了它在VLSI中的應用。為了解決上述問題，多年來對退火方法進行了廣泛研究，導致激光退火等快速退火技術的出現。

快速退火技術目前有脈衝激光、脈衝電子束與離子束、掃描電子束、連續波激光以及非相干寬帶光源（例如：滷燈、電弧燈、石墨加熱器）等。它們的共同特點是瞬時內使晶片的某個區域加熱到極高的温度，並在較短的時間內（10-8~102s）完成退火。