快速熱退火 | 連鎖超商/餐飲業者
快速—熱退火(RTA)是半導體加工工藝中的一種常規技術手段,一般用來激活半導體材料中的摻雜元素和將由離子注入造成的非晶結構恢復為完整晶格結構。
編輯 鎖定[1][2] 本詞條缺少概述图,補充相關內容使詞條更完整,還能快速升級,趕緊來編輯[3]吧! 快速—熱退火( RTA) 是半導體[4]加工工藝中的一種常規技術手段,一般用來激活半導體材料中的摻雜元素和將由離子注入[5]造成的非晶結構恢復為完整晶格結構 [1] [6] 。 中文名 快速—熱退火 外文名 Rapid Thermal Annealing 英文縮寫 RTA 快速熱退火 (RTA)技術指的是將晶片從環境温度[7]快速加熱至約1000–1500K,晶片達到該温度後會保持幾秒鐘,然後完成淬火[8]。這種技術主要被應用於薄膜晶體管[9] 、太陽電池[10]等器件生產過程中的摻雜、點缺陷退火、雜質激活等高温( >700 ℃)過程。在低温器件,如玻璃襯底的多晶硅薄膜太陽電池應用中也具有很大的潛力 。 固相晶化非晶硅[11] (a- S i)薄膜法是一種最常見的間接製備多晶硅薄膜方法 。這種技術的優點是能實現薄膜大面積化,且工藝簡單 。但傳統的電熱爐退火進行固相晶化時,晶化時間長達幾個至幾十個小時,耗能及製造成本高 。而採用 RTA,在較高温度下幾分鐘內就可使非晶硅晶化,而且晶化後的多晶硅膜缺陷較少、內應力小 [2] [12] 。 參考資料 1. 張磊,温度對快速熱退火製備多晶硅薄膜結構與電學性能的影響,人工晶體學報,2012年,1187-1187[13] 2. 陳永生,非...
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由 龔君偉 著作 · 2004 — 1.3.1 快速熱退火(RTA)的原理. Page 26. 12. 本實驗退火技術是以快速熱退火為主,跟一般成長複晶矽的爐管退. 火方式或是雷射退火方式有所差異,所以特別在此多加介紹。 Read More
退火爐的原理 | 連鎖超商/餐飲業者
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